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J-GLOBAL ID：200903072639740729

バンプ形成方法

Inventor： 河添 昭造 ,  岡野 秀仁 ,  伊香 和夫
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 藤本 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992021886
Publication number (International publication number)：1993190602
Application date： Jan. 10, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 間隔が300μm以下の微細な回路パターンに対しても効率よく、かつ確実にバンプを付与できる方法を得ること。【構成】 易剥離性シート(11)の上に転写可能に設けた金属薄膜(12)と、基板(4)上に形成した回路パターン(3)を重ねて、前記の金属薄膜を回路パターン上に押圧転写するバンプ(2)の形成方法。【効果】 易剥離性シート上の金属薄膜を転写する簡単な方法で微細な回路パターンに対してもその所定位置に高精度に、従ってショート原因となるパターン間へのまたがり問題なくバンプを形成でき、付与バンプが膜厚の均一性や画一性に優れ、バンプを乾式方法で効率よく形成できる。加えて転写シートを介して他法では形成が困難な種々のバンプ形成材が容易に得られる。

Claim (excerpt)：

易剥離性シートの上に転写可能に設けた金属薄膜と、基板上に形成した回路パターンを重ねて、前記の金属薄膜を回路パターン上に押圧転写することを特徴とするバンプ形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/60 311 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/321 ,  H05K 3/04 ,  H05K 3/24