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J-GLOBAL ID：200903072655934746

半導体装置の製造方法

Inventor： 成田 昌幸 ,  関根 弘一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996214856
Publication number (International publication number)：1998064855
Application date： Aug. 14, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 切削工程でのチップ欠けを減らし、信頼性を向上させれる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 第1の切削工程で、先端の断面形状がV字型の切削刃7を用いてスクライブライン5の中央部を切削し、表面の幅がW1になるV字型の溝を形成する(図1(b))。このV字型溝の面は半導体基板1の結晶面と略平行な面で、V字型溝と半導体基板1の表面との角度φは結晶方位で決まる角度に約等しい。切削刃7は、このようなV字型溝を形成できる形状である。第2の切削工程で、V字型溝の中央部を、幅W1より狭い幅W3で裏面まで切削して半導体装置を分離する(図1(c))。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面上に形成された個々の半導体装置を、該半導体装置間の分離領域で切削分離する際に、前記半導体基板の結晶面と略平行な面が一部露出する溝を、前記分離領域内に形成する第1の切削工程と、前記溝の結晶面と略平行な面を横切り、かつ前記半導体基板の裏面まで切削し、前記個々の半導体装置を切削分離する第2の切削工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (3)：

H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 S