電界効果トランジスタ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007018138
Publication number (International publication number)：2008186936
Application date： Jan. 29, 2007
Publication date： Aug. 14, 2008
Summary：

【課題】ダイヤモンドを主材料として有する電界効果トランジスタ(FET)であって、高周波動作、高電流密度化に好適であると共に、閾値電圧の制御性に優れ、素子特性のウェーハ面内バラツキ、ロット間バラツキが小さいFETの提供。【解決手段】基板10、ダイヤモンド半導体層11、化合物半導体層12がこの順で形成された電界効果トランジスタにおいて、ダイヤモンド半導体層11を(111)面ダイヤモンドにより構成すると共に、化合物半導体層12を(0001)面の六方晶化合物半導体、あるいは、(111)面の立方晶化合物半導体により構成する。これにより、電子供給層のダイヤモンド半導体層との界面には、自発性分極効果またはピエゾ分極効果に起因した正の固定電荷を有すると共に、電子供給層とダイヤモンド半導体層の界面近傍には2次元電子ガス13が生成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板、ダイヤモンド半導体層、化合物半導体層がこの順で形成された電界効果トランジスタであって、前記ダイヤモンド半導体層が(111)結晶面と平行に形成されたダイヤモンド半導体からなると共に、前記化合物半導体層が(0001)結晶面と平行に形成された六方晶化合物半導体からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (8)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , C30B 29/04 , C23C 16/27 , C23C 16/505 , C01B 31/06 , H01L 21/205

FI (6)：

H01L29/80 H , C30B29/04 W , C23C16/27 , C23C16/505 , C01B31/06 Z , H01L21/205

F-Term (48)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BA03 , 4G077DB01 , 4G077HA06 , 4G146AA04 , 4G146AB07 , 4G146AD21 , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BC09 , 4G146BC34B , 4G146DA16 , 4K030AA09 , 4K030BA28 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030FA01 , 4K030JA10 , 4K030KA23 , 4K030LA12 , 5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045AB06 , 5F045AB07 , 5F045AB09 , 5F045AB10 , 5F045AB11 , 5F045AB12 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045CA06 , 5F045CA07 , 5F045DA52 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GL02 , 5F102GM02 , 5F102GM04 , 5F102GM05 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR12 , 5F102GT02 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

電子素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-127034 Applicant：日本電信電話株式会社

Cited by examiner (1)

電子電界効果デバイス及びそれらの製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2009-546060 Applicant：エレメントシックスリミテッド

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