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J-GLOBAL ID:200903072689610303

ガラス基板への密着性の優れた窒化膜形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 植木 久一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994122846
Publication number (International publication number):1995331411
Application date: Jun. 03, 1994
Publication date: Dec. 19, 1995
Summary:
【要約】【目的】 イオン注入法を巧みに適用することによって、ガラス基板と窒化膜との密着性を更に改善することのできる様な窒化膜形成方法を提供する。【構成】 真空雰囲気中でガラス基板表面に金属元素をイオン注入する工程、および真空雰囲気中でガラス基板の表面に窒化膜を形成する工程を含む。具体的には、真空雰囲気中でガラス基板表面に金属元素をイオン注入した後、真空雰囲気中でガラス基板の表面に窒化膜を形成するか、または真空雰囲気中でガラス基板表面に窒化膜を形成した後、真空雰囲気中でガラス基板の表面に金属元素をイオン注入する。
Claim (excerpt):
真空雰囲気中でガラス基板表面に金属元素をイオン注入する工程、および真空雰囲気中でガラス基板表面に窒化膜を形成する工程を含むことを特徴とするガラス基板への密着性の優れた窒化膜形成方法。
IPC (2):
C23C 14/06 ,  C23C 14/48

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