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J-GLOBAL ID：200903072692895866

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 関口 利貞 ,  秋山 正明
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 佐藤 祐介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993338852
Publication number (International publication number)：1995162090
Application date： Dec. 02, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 埋め込み層の電流ブロック層としての機能を良好なものとしながら、活性層下部におけるストライプの幅が狭くならないようにしてその部分の電気抵抗が高くならないように改善した、良好な特性の半導体レーザを得る。【構成】 p-InP基板10の上にp-InPクラッド層11、活性層12および0.2μmほどの厚さのn-InPクラッド層13を順次成長させた後、エッチングにより凹部を設けて逆メサ状ストライプを作り、その逆メサ状ストライプの最もくびれた部分から活性層12までの距離が0.25μmほど以下となるようにし、その逆メサ状ストライプの両脇にp-InP層21、n-InP層22、p-InP層23を順次液相成長させて逆メサ状ストライプを埋め込む。

Claim (excerpt)：

逆メサ状のストライプ内においてそのストライプの最もくびれた部分から0.25μmよりは離れないように形成された活性層と、その逆メサ状のストライプ内において活性層の上に形成された薄いクラッド層と、この逆メサ状ストライプの両脇を埋めるように形成された電流ブロック層とを有することを特徴とする半導体レーザ。