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J-GLOBAL ID：200903072704369243
CVD装置のクリーニング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992324954
Publication number (International publication number)：1994151409
Application date： Nov. 10, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【目的】 CVD装置の反応炉内表面を、人手による物理的なクリーニングによるのではなく、化学的にクリーニングする方法を提供すること。【構成】 ウエハを載置するための加熱可能な試料台と、ウエハ表面に所定の薄膜を形成するのに必要な反応ガスを導入する手段とを備える反応炉を有するCVD装置の前記反応炉内表面をクリーニングする方法において、前記反応ガス導入手段から酸素およびオゾンからなる群から選択される少なくとも1種類の酸素系ガスと共に、活性フッ素ラジカルを前記反応炉内に送入する。活性フッ素ラジカルはNF3 ガスを熱分解することにより発生する。CVD装置は例えば、常圧CVD装置、減圧CVD装置または光CVD装置などのようなセルフクリーニング機能を有しないCVD装置類である。
Claim (excerpt)：
ウエハを載置するための加熱可能な試料台と、ウエハ表面に所定の薄膜を形成するのに必要な反応ガスを導入する手段とを備える反応炉を有するCVD装置の前記反応炉内表面をクリーニングする方法において、前記反応ガス導入手段から酸素およびオゾンからなる群から選択される少なくとも1種類の酸素系ガスと共に、活性フッ素ラジカルを前記反応炉内に送入することを特徴とするCVD装置のクリーニング方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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