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J-GLOBAL ID：200903072708186607

コンタクトホールの形成方法

Inventor： 塘 洋一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995252641
Publication number (International publication number)：1997097836
Application date： Sep. 29, 1995
Publication date： Apr. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】 導電パターンに対して自己整合的に絶縁性が確保されるコンタクトホールの形成工程を簡略化する。【解決手段】 導電層12上に感光性SOGまたはポリシラン誘導体からなる絶縁層13を形成し、絶縁層13に対してパターン露光及び現像処理を施して絶縁層13からなるオフセット絶縁膜13aを形成する。オフセット絶縁膜13aをマスクにしたエッチングによって導電層12からなる導電パターン12aを形成する。導電パターン12aとオフセット絶縁膜13aとの側壁にサイドウォールを形成する。サイドウォールとオフセット絶縁膜13aとを覆う層間絶縁膜を成膜した後、サイドウォールをストッパにした層間絶縁膜のエッチングによって基板11に達するコンタクトホールを形成する。これによってオフセット絶縁膜13a形成のためのレジストパターンの形成工程及び除去工程を削減する。

Claim (excerpt)：

基板上に導電層を形成し、当該導電層上に感光性SOG材料またはポリシラン誘導体からなる絶縁層を形成する第1工程と、リソグラフィー法によって、前記絶縁層の露光部をオフセット絶縁膜として前記導電層上に残す第2工程と、前記オフセット絶縁膜をマスクにして、前記導電層をエッチングし当該導電層からなる導電パターンを形成する第3工程と前記導電パターン及び前記オフセット絶縁膜の側壁に絶縁性のサイドウォールを形成する第4工程と、前記オフセット絶縁膜及び前記サイドウォールを覆う状態で前記基板上に層間絶縁膜を形成し、当該サイドウォールをストッパにした当該層間絶縁膜のエッチングによって当該基板にまで達するコンタクトホールを形成する第5工程とを備えたことを特徴とするコンタクトホールの形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/30 502 R