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J-GLOBAL ID：200903072714543349

薄膜多層配線実装基板の製造方法及び製造装置

Inventor： 渡辺 隆二 ,  三浦 修 ,  大越 幸夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993262054
Publication number (International publication number)：1995115272
Application date： Oct. 20, 1993
Publication date： May. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、薄膜配線層において、エキシマレーザービームにより、絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に同一軸上で貫通させた接続用ホール形成を可能ならしめる薄膜多層配線実装基板の製造方法及び製造装置を提供することにある。【構成】少なくとも一層以上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の接続用ホールをエキシマレーザービームで加工してなる工程を含む薄膜多層配線実装基板の製造方法において、前記エキシマレーザービーム加工が同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明け加工ならしめ、接続用ホールを形成することを特徴とする薄膜多層配線実装基板の製造方法。【効果】本発明は、従来のドリル穴明け加工に比べ、より微小な接続用ホール形成を達成できる。また、上記製造方法を用いることにより、高信頼性を有する薄膜多層配線実装基板が実現できる。

Claim (excerpt)：

少なくとも一層以上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の接続用ホールをエキシマレーザービームで加工してなる工程を含む薄膜多層配線実装基板の製造方法において、前記エキシマレーザービーム加工が同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明け加工ならしめ、接続用ホールを形成することを特徴とする薄膜多層配線実装基板の製造方法。