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J-GLOBAL ID：200903072720733001

光電変換素子の製造方法、光電変換素子、電子装置の製造方法、電子装置、金属膜の製膜方法および積層構造体

Inventor： 榎本 正
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (2)： 杉浦 正知 ,  森 幸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003108076
Publication number (International publication number)：2004319131
Application date： Apr. 11, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】対極となる白金などからなる金属膜の金属酸化物膜に対する付着性の大幅な向上を図ることができ、しかもその対極となる金属膜の異種金属による汚染が生じない光電変換素子の製造方法および光電変換素子を提供する。【解決手段】半導体微粒子からなる半導体電極と対極となる金属膜とを有する光電変換素子において、ITOなどの金属酸化物からなる透明電極12上にポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)/ポリスチレンスルホン酸(PSS)膜13をスピンコートなどにより製膜した後、その上に対極となる白金膜14を製膜する。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

半導体電極と金属酸化物膜上に製膜した対極となる金属膜とを有する光電変換素子の製造方法において、 上記金属酸化物膜上に、

IPC (2)：

H01M14/00 ,  H01L31/04

FI (2)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

F-Term (11)：

5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20