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J-GLOBAL ID：200903072728498699

炭化ケイ素単結晶の製造方法

Inventor： 福田 百八 ,  前田 泰宏 ,  谷口 斉一
Applicant, Patent owner： 日新製鋼株式会社
Agent (1)： 小橋 信淳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992217273
Publication number (International publication number)：1994048898
Application date： Jul. 23, 1992
Publication date： Feb. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 単結晶と同時に成長する多結晶によって単結晶の横方向成長が抑制されることを防止し、大口径で且つ長尺の炭化ケイ素単結晶を製造する。【構成】 昇華法によって種結晶3の上に単結晶部8を成長させるとき、単結晶部8の周囲に多結晶部7が同時に成長する。そこで、多結晶部7の成長面7aが単結晶部8の成長面8aを超えない時点で結晶成長を終了する。そして、単結晶部8の周囲にある多結晶部7を除去し、単結晶部8の成長面8aを高くすることを1工程とする。以降、この工程を繰り返し、製品となる単結晶を成長面8a上に成長させる。【効果】 結晶成長を多段階で行うことにより、大口径で長尺の単結晶が得られる。

Claim (excerpt)：

種結晶と相対向する位置関係で炭化ケイ素原料粉末を黒鉛ルツボ内に配置し、温度勾配を付けた加熱によって前記炭化ケイ素原料粉末を昇華させて前記種結晶の上に単結晶部を成長させる炭化ケイ素単結晶の昇華法において、種結晶上における単結晶の成長と同時に成長する多結晶部の成長面が前記単結晶部の成長面を超えない時点で結晶成長を終了し、前記単結晶部の周囲にある多結晶部の除去により前記単結晶部の成長面を高くすることを1工程とし、以降、この工程を繰り返し、多結晶部を除去した単結晶部の成長面上で単結晶の成長を行うことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/203