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J-GLOBAL ID:200903072744082842

高放熱形複合基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩佐 義幸
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991174895
Publication number (International publication number):1993021959
Application date: Jul. 16, 1991
Publication date: Jan. 29, 1993
Summary:
【要約】【目的】 実装された半導体チップによる発熱を効率良く放熱することができる高放熱形複合基板を提供する。【構成】 有機絶縁膜を有する有機薄膜多層基板を挟むように2組のセラミック多層基板を配する。半導体の熱を伝熱ビアを介してセラミック多層基板に伝達し、これ等のセラミック多層基板によって放熱する。
Claim (excerpt):
有機絶縁膜を有する有機薄膜多層基板を挟んで2組のセラミック多層基板を配したことを特徴とする高放熱形複合基板。
IPC (2):
H05K 3/46 ,  H01L 23/12

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