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J-GLOBAL ID：200903072764922723

絶縁ゲイト型電界効果半導体装置

Inventor： 山崎 舜平 ,  間瀬 晃
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993100411
Publication number (International publication number)：1994029537
Application date： Mar. 05, 1984
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ディスプレイ装置の制御部およびその周辺回路を目的とする。【構成】 絶縁基板上の第1の電極上の第1の半導体、第1の絶縁体、第2の半導体、第2の導電膜および層間絶縁物を概略同一形状に積層した積層体を有し、前記第1および第2の半導体をしてドレインおよびソ-スを構成せしめ、前記積層体の側部に隣接した第3の半導体によりチャネル形成領域を構成して設け、前記半導体上にゲイト絶縁膜と第3の導電膜により設けられたゲイト電極とを前記積層体の側面に配設した絶縁ゲイト型半導体装置において、前記第3の導電膜に連結した第4の導電膜は前記第3の導電膜に重合わせて設けられ、かつ、前記第4の導電膜のシ-ト抵抗は0.5 Ω/□以下を有せしめた。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上の第1の電極上の第1の半導体、第1の絶縁体、第2の半導体、第2の導電膜および層間絶縁物を概略同一形状に積層した積層体を有し、前記第1および第2の半導体をしてドレインおよびソ-スを構成せしめ、前記積層体の側部に隣接した第3の半導体によりチャネル形成領域を構成して設け、前記半導体上にゲイト絶縁膜と第3の導電膜により設けられたゲイト電極とを前記積層体の側面に配設した絶縁ゲイト型半導体装置において、前記第3の導電膜に連結した第4の導電膜は前記第3の導電膜に重合わせて設けられ、かつ、前記第4の導電膜のシ-ト抵抗は0.5 Ω/□以下を有せしめたことを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭59-208783