薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998060593
Publication number (International publication number)：1999243209
Application date： Feb. 25, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】薄膜デバイスの製造時の積層順序を維持したまま、実使用時の基板に薄膜デバイスを転写することを可能とし、製造プロセスを簡易にして安価な薄膜デバイスを提供する。【解決手段】レーザー光が透過可能な基板上にアモルファスシリコンなどの第1分離層を設けておき、その基板上にTFT等の薄膜デバイス140を形成する。さらに、薄膜デバイス140上に第2分離層160を形成し、その上に一次転写体180形成する。光照射で第1分離層の結合力を弱めて基板を除去することで、薄膜デバイスが一次転写体に一次転写される。さらに、露出した薄膜デバイスの下面に接着層190を介して二次転写体200を接合し、第2分離層を熱溶融させて結合力を弱め、一次転写体を除去する。これにより、薄膜デバイスは二次転写体に二次転写される。

Claim (excerpt)：

基板上に分離層を形成する第1工程と、前記分離層上に複数の薄膜から成る薄膜デバイスを含む被転写層を形成する第2工程と、前記被転写層上に転写体を接合する第3工程と、前記分離層を境にして前記被転写層より前記基板を除去して、前記被転写層を前記転写体に転写する第4工程と、を有し、前記薄膜デバイスを構成する前記複数の薄膜及び前記分離層の少なくとも一層の薄膜を、該薄膜の構成成分を含む液体が塗布された後に固化される液相プロセスを用いて形成することを特徴とする薄膜デバイスの転写方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500

FI (3)：

H01L 29/78 627 Z , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 627 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特表平6-504139
半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-053737 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-350543 Applicant：加藤忠信

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