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J-GLOBAL ID：200903072781727837

酸素に対する炭化ケイ素表面の不活性化方法

Inventor： ルツプ、ローラント
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996530628
Publication number (International publication number)：1999503567
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Mar. 26, 1999
Summary：

【要約】半導体素子を製造する際、SiC単結晶は保管の間に或いは2つの処理プロセス工程の間に酸素を含む雰囲気、例えば空気にさらされる。このときSiC単結晶のSiC表面に自然に酸化膜が形成されるのを回避するために、化学的に反応しない炭素膜、好ましくはグラファイト膜が形成される。

Claim (excerpt)：

炭化ケイ素(SiC)表面に炭素膜を形成する酸素に対する炭化ケイ素表面の不活性化方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/314

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/314 A