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J-GLOBAL ID：200903072788452264
第8族元素類の成膜法およびこれに使用する原料化合物
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
和田 憲治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995224536
Publication number (International publication number)：1997049081
Application date： Aug. 10, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：
【要約】【課題】 CVD法によって強誘電体電極材料やLSI配線材料などに有用な第8属元素例えばルテニウムやイリジウム系の薄膜を製造するさいの好適な原料化合物を得て,その操作性よく良品質の該薄膜を製造する。【解決手段】 周期律表第8族元素と2,2,6-トリメチル-3,5-ヘプタンジオンまたは2,6-ジメチル-3,5-ヘプタンジオンからなるβ-ジケトン系有機金属錯体を原料化合物として化学的気相蒸着法により基材上に第8族元素または該元素を含む化合物を析出させることからなる第8族元素類の成膜法。
Claim (excerpt)：
周期律表第8族元素と2,2,6-トリメチル-3,5-ヘプタンジオンからなるβ-ジケトン系有機金属錯体を原料化合物として化学的気相蒸着法により基材上に第8族元素または該元素を含む化合物を析出させることからなる第8族元素類の成膜法。
IPC (4)：
C23C 16/18
, B01J 19/00
, C07F 15/00
, C30B 25/00
C23C 16/18
, B01J 19/00 L
, C07F 15/00 A
, C07F 15/00 E
, C30B 25/00
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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