薄膜トランジスタ及びその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991174541
Publication number (International publication number)：1994045354
Application date： Jun. 19, 1991
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】レーザー結晶化Si-TFTを作製するにあたり、レーザー照射をTFTのデバイス構造完成後におこなう方法を提供する。【構成】チャネル形成領域およびソース・ドレイン領域が基板上部または下部からのレーザー照射に対して露呈している構造のa-SiTFTを作製し、その後レーザー照射を行うことによりチャネル形成領域およびソース・ドレイン領域を結晶化、活性化せしめ、デバイス構造完成後のTFTの諸電気特性の制御、およびpoly-SiTFT化を行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

チャネル形成領域の一部およびソース・ドレイン領域のチャネル形成領域側の一部または全部が入射するレーザー光に対して露呈している構造を特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/268

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-046776
特開昭63-086573
特開昭60-245124

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