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J-GLOBAL ID：200903072797952490
ドライエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992307325
Publication number (International publication number)：1994163472
Application date： Nov. 17, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 3層レジスト・プロセスにおいて、下層レジスト層のエッチング時の下地選択性を改善する。【構成】 Al-Si-Cu層2上の下層レジスト層3を、CO/Cl2 /O2混合ガスを用いてエッチングする。エッチング反応生成物であるCClx ポリマーにC-O結合やカルボニル基等が取り込まれてそのエッチング耐性が向上し、強固な側壁保護膜6が形成される。これにより、異方性加工に必要なイオン入射エネルギーを低減できるので、下地のAl-Si-Cu層2に対する選択性が向上し、この層に由来するスパッタ再付着物層の生成が防止できる。CClx ポリマーの堆積量も少なくて済むので、プロセスを低汚染化できる。S2 Cl2 等のイオウ系化合物ガスを添加すれば、S(イオウ)の堆積を併用してプロセスを一層低汚染化,高選択化できる。
Claim (excerpt)：
下地材料層上に形成された有機材料層を、酸化炭素、酸化窒素、酸化イオウから選ばれる少なくとも1種類の無機酸化物を含むエッチング・ガスを用いてエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
