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J-GLOBAL ID：200903072809228530

半導体装置

Inventor： 田中 篤司 ,  濱口 恒夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001119163
Publication number (International publication number)：2002314034
Application date： Apr. 18, 2001
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 基板に半導体素子を搭載した半導体装置の全体の厚みを薄く抑える。【解決手段】 半導体装置は、電極を有する半導体素子8a,8bと、前記半導体素子8a,8bを少なくとも一方の側に開放された内部に収めるための収容部を含む基板4と、前記電極に対応する位置に配置された導電部2を表面に有するフィルム1a,1bとを備え、前記半導体素子8a,8bは、前記収容部の内部に収容され、前記フィルム1a,1bは、前記基板4の少なくとも一方の側において前記導電部2を前記基板4に対向させるようにして配置されており、前記電極は、対応する前記導電部2に電気的に接続されている。

Claim (excerpt)：

電極を有する半導体素子と、前記半導体素子を内部に収めるための、少なくとも一方の側に開放された収容部を含む基板と、前記電極に対応する位置に配置された導電部を表面に有するフィルムとを備え、前記半導体素子は、前記収容部の内部に収容され、前記フィルムは、前記基板の少なくとも一方の側において前記導電部を前記基板に対向させるようにして配置されており、前記電極は、対応する前記導電部に電気的に接続されている、半導体装置。

IPC (4)：

H01L 25/065 ,  H01L 23/52 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2)：

H01L 25/08 Z ,  H01L 23/52 C