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J-GLOBAL ID：200903072809760088

プラズマ処理装置

Inventor： 上出 幸洋
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998186725
Publication number (International publication number)：2000021598
Application date： Jul. 02, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 真空処理室内の基板処理領域から反応生成物の堆積領域をより遠ざけて加工の品質を向上させることができるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】 基板処理用のプラズマを発生する第1のプラズマ発生部P1 により真空処理室43内のプラズマクリーニングを行って基板処理領域に堆積した反応生成物を分解除去した後、基板サセプタ50の下部に設置した第2のプラズマ発生部P2 により基板処理領域より排気側のプラズマクリーニングを行い、反応生成物堆積領域を基板処理領域から遠ざけ、パーティクルの発生を抑制する。

Claim (excerpt)：

真空処理室と、この真空処理室内で処理基板を保持する基板保持手段と、前記真空処理室内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段と、前記真空処理室内にプラズマ処理に必要な処理ガスを供給するガス供給手段と、前記真空処理室内の処理ガスを排気する真空排気手段とを備え、前記プラズマ発生手段による前記真空処理室内のプラズマクリーニングが可能なプラズマ処理装置において、前記プラズマ発生手段は、基板処理用のプラズマを発生する第1のプラズマ発生部と、前記基板保持手段と前記真空排気手段との間にプラズマを発生する第2のプラズマ発生部とから成り、前記第1のプラズマ発生部による基板処理領域のプラズマクリーニングの終了後に、前記第2のプラズマ発生部により前記基板処理領域から排気側をプラズマクリーニングするようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (6)：

H05H 1/46 A ,  C23C 16/44 J ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N

F-Term (36)：

4K030DA06 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030KA28 ,  4K057DA16 ,  4K057DD01 ,  4K057DM35 ,  4K057DM37 ,  4K057DM38 ,  5F004AA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BC02 ,  5F004BD04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004EA28 ,  5F045DP02 ,  5F045EB06 ,  5F045EE13 ,  5F045EE17 ,  5F045EH06 ,  5F045EH11 ,  5F045EH18 ,  5F103AA10 ,  5F103BB45 ,  5F103BB46 ,  5F103PP01 ,  5F103PP15 ,  5F103RR10