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J-GLOBAL ID：200903072817420954
酸化ケイ素薄膜の形成法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993027018
Publication number (International publication number)：1994240459
Application date： Feb. 16, 1993
Publication date： Aug. 30, 1994
Summary：
【要約】【目的】 プラズマCVD法によって大面積の基板上に高品質の酸化ケイ素薄膜を均一にかつ効率よく形成する。【構成】 有機シランガスとともに、流量比で有機シランガスの50〜1000倍の酸化性ガス、または酸化性ガスと不活性ガスとの混合ガスを反応器1内に導入する。
Claim (excerpt)：
プラズマCVD法によって基板上に酸化ケイ素薄膜を形成するに際して、有機シランガスとともに、流量比で有機シランガスの50〜1000倍の酸化性ガス、または酸化性ガスと不活性ガスとの混合ガスを反応器内に導入することを特徴とする酸化ケイ素薄膜の形成法。
IPC (3)：
C23C 16/40
, C23C 16/50
, H01L 21/316
