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J-GLOBAL ID：200903072825452776

高純度金属材の製造方法、スパッタターゲットの製造方法および配線網の形成方法

Inventor： 石上 隆 ,  河合 光雄 ,  小畑 稔 ,  佐藤 道雄 ,  山野辺 尚 ,  牧 利広 ,  安藤 茂 ,  八木 典章
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995185142
Publication number (International publication number)：1996060350
Application date： Feb. 12, 1991
Publication date： Mar. 05, 1996
Summary：

【要約】【課題】 高集積化された半導体素子の電極やコンタクト部の形成にあたっては接合リーク等の発生を防止することが可能で、またバリヤ層の形成にあたってはその機能低下を防止することが可能な高純度金属材が求められている。【解決手段】 Ti、ZrおよびHfから選ばれた 1種の金属からなる高純度金属材の製造方法であって、まず上記金属を主とする粗金属材をヨウ化物分解法によって精製する。あるいは、溶融塩電解法で得られた上記金属を主とする粗金属材に対して表面処理を施し、粗金属材表面に存在する汚染層を除去する。この後、上記精製された金属材あるいは表面処理が施された粗金属材を、高真空下で電子ビーム溶解する。

Claim (excerpt)：

チタン、ジルコニウムおよびハフニウムから選ばれた 1種の金属を主とする粗金属材をヨウ化物分解法によって精製する工程と、この精製された金属材を高真空下で電子ビーム溶解する工程とを有することを特徴とする高純度金属材の製造方法。

IPC (9)：

C23C 14/34 ,  C22B 34/12 103 ,  C22B 34/14 ,  C22C 1/02 503 ,  C22C 14/00 ,  C22C 16/00 ,  C22C 28/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-358030
  
• 特開平2-213490
  
• 特開平3-177594