Pat
J-GLOBAL ID：200903072840412420
磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000292840
Publication number (International publication number)：2002100011
Application date： Sep. 26, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：
【要約】【課題】 MR素子の温度上昇を抑制して、エレクトロマイグレーションの発生を有効に防止しながら、シールド間ギャップによる絶縁性の確保を確実なものとする。【解決手段】 シールド間ギャップ4を、少なくともMR素子5と積層方向で重なる位置を含む上部絶縁膜11及び下部絶縁膜12と、一対の磁気シールド層2,3の少なくとも一方及びMR素子5の媒体対向面1aから離間した側(デプスが零となる位置)の端部に接触するように形成された後部絶縁膜13とから構成されるようにする。そして、後部絶縁膜13の材料として、上部絶縁膜11及び下部絶縁膜12に用いるAl2O3やSiO2等に比べて熱伝導率の高い材料、例えば、AlN、SiC、DLC(ダイヤモンドライクカーボン)のいずれか1種以上の絶縁材料を用いる。
Claim (excerpt)：
上下一対の磁気シールド層がシールド間ギャップを介して積層され、磁気抵抗効果を発揮する磁気抵抗効果素子が、その一端部が当該磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気記録媒体と対向する媒体対向面から露出するように、上記シールド間ギャップ中に配設された構造の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記シールド間ギャップが、少なくとも上記磁気抵抗効果素子と積層方向で重なる位置を含むように形成された上部絶縁膜及び下部絶縁膜と、上記一対の磁気シールド層の少なくとも一方及び上記磁気抵抗効果素子の上記媒体対向面から離間した側の他端部と接触するように形成された後部絶縁膜とからなり、上記後部絶縁膜が、上記上部絶縁膜及び下部絶縁膜に比べて熱伝導率の高い絶縁材料よりなることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
IPC (3)：
G11B 5/39
, H01L 43/08
, H01L 43/12
G11B 5/39
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
5D034AA03
, 5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034BA18
, 5D034BB08
, 5D034DA07
