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J-GLOBAL ID：200903072874732121

半導体装置の製法及び半導体製造装置

Inventor： 山岸 弘明
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992249893
Publication number (International publication number)：1994104252
Application date： Sep. 18, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 窒化酸化膜を形成する際の再酸化処理温度の低減を図る。【構成】 半導体基板上に熱酸化処理で形成した熱酸化膜を窒化処理及び再酸化処理して窒化酸化膜を形成する工程において、再酸化処理をN2 O雰囲気中で行う。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に熱酸化処理で形成した熱酸化膜を窒化処理及び再酸化処理して窒化酸化膜を形成する工程において、上記再酸化処理をN2 O雰囲気中で行うことを特徴とする半導体装置の製法。

IPC (2)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-199672
  
• 特開昭63-246829