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J-GLOBAL ID：200903072875943592
ゼオライト薄膜の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992104030
Publication number (International publication number)：1993279015
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】シリコン単結晶基板の表面にゼオライト薄膜を形成できるゼオライト薄膜の形成方法を提供する。【構成】アルミン酸ナトリウム19.4g ,水酸化ナトリウム8.0g,脱イオン水80.1g をビーカーに秤量し30分間撹拌して水溶液Aを調製した。次に、水ガラス26.2g および脱イオン水25.0g を、別のビーカーに秤量し30分間撹拌して水溶液Bを調製した。水溶液A及びBを32.5°Cに加熱した後に混合し、15分間強く撹拌してゲルスラリーを得た。次いで、ゲルスラリーを0.2 μmマイクロフィルターで30分間かけて濾過した。濾液を24°Cで 1時間熟成した後、脱イオン水で2倍に希釈して反応溶液を得た。反応溶液12中に、厚さ0.4 μmの酸化膜で被覆したシリコン単結晶基板13を略水平に浸漬した。テフロン容器11をオートクレーブに収容し、温度82.5°C、結晶化時間4 時間の条件でシリコン単結晶基板13に水熱処理を施した。
Claim (excerpt)：
所定の割合でアルミナ源、シリカ源、アルカリ源および水を含有する出発原料から反応溶液を調製する工程と、表面に酸化膜を被覆したシリコン単結晶基板に前記反応溶液中に浸漬した状態で水熱処理を施して前記酸化膜上にゼオライトを結晶化させる工程を具備することを特徴とするゼオライト薄膜の形成方法。
IPC (4)：
C01B 33/34
, C23C 20/08
, C30B 29/22
, G01N 27/12
