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J-GLOBAL ID：200903072876419358

半導体集積回路装置

Inventor： 高木 治
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991285070
Publication number (International publication number)：1993122053
Application date： Oct. 30, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は半導体集積回路装置に関し、異種電源間の信号レベルを変換する信号電位変換回路を高電圧駆動電源と接地線との間に接続することなく、その回路構成を工夫して簡略化し、その低電力消費化を図ること、その高集積化を図ること、及び、その信頼度や品質の向上を図ることを目的とする。【構成】 低電圧駆動系トランジスタ回路11と高電圧駆動系トランジスタ回路13との間に接続された信号電位変換回路12を具備し、前記低電圧駆動系トランジスタ回路11が第1の電源線VCC1に接続され、前記高電圧駆動系トランジスタ回路13が第2の電源線VCC2に接続され、前記信号電位変換回路12が第2の電源線VCC2に接続され、前記信号電位変換回路12の第1の入力部in1が前記低電圧駆動系トランジスタ回路11の入力部inに接続され、前記信号電位変換回路12の第2の入力部in2が前記低電圧駆動系トランジスタ回路11の出力部outに接続され、前記信号電位変換回路12の出力部outが前記高電圧駆動系トランジスタ回路13の入力部inに接続されることを含み構成する。

Claim (excerpt)：

低電圧駆動系トランジスタ回路(11)と高電圧駆動系トランジスタ回路(13)との間に接続された信号電位変換回路(12)を具備し、前記低電圧駆動系トランジスタ回路(11)が第1の電源線(VCC1)に接続され、前記高電圧駆動系トランジスタ回路(13)が第2の電源線(VCC2)に接続され、前記信号電位変換回路(12)が第2の電源線(VCC2)に接続され、前記信号電位変換回路(12)の第1の入力部(in1)が前記低電圧駆動系トランジスタ回路(11)の入力部(in)に接続され、前記信号電位変換回路(12)の第2の入力部(in2)が前記低電圧駆動系トランジスタ回路(11)の出力部(out)に接続され、前記信号電位変換回路(12)の出力部(out)が前記高電圧駆動系トランジスタ回路(13)の入力部(in)に接続されること特徴とする半導体集積回路装置。