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J-GLOBAL ID：200903072878588734

二層回路基板及び多層品のスルーホールのメツキのための方法

Inventor： フリードリヒ・ヨナス ,  ゲルハルト-デイーター・ボルフ
Applicant, Patent owner： バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 小田島 平吉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993025967
Publication number (International publication number)：1993275851
Application date： Jan. 22, 1993
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【構成】 直接のスルーホールメッキのためのスルーホールの側壁の上への、伝導剤としてポリチオフェンを使用する二層回路基板及び多層品のスルーホールメッキのための方法、並びにこのようにして製造される回路基板及び多層品。【効果】 ピロールを使用する場合に生ずるような、酸浴中のポリマーの生成を防止することができる。

Claim (excerpt)：

スルーホールがメッキされた回路基板及び多層品の製造のための方法であって、一般式(I)【化1】[式中、Xは、酸素または単結合であり、そしてR1及びR2は、お互いに独立に、水素若しくはC1〜C4アルキル基を表すか、または必要に応じて置換されたC1〜C4アルキレン基若しくは1,2-シクロヘキシレン基を一緒に形成する]に対応するチオフェンの溶液またはエマルションによる処理及び同時のまたは後続の水性酸による処理によって、該基板中に作られたスルーホールの壁の上にポリチオフェンの伝導性層を製造し、そしてこのようにして製造された伝導性層に電着によって銅を付与することを特徴とする方法。

IPC (2)：

H05K 3/42 ,  C25D 7/00