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J-GLOBAL ID：200903072886325416

MOM容量素子

Inventor： 渕上 伸隆 ,  松原 宏和
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991227817
Publication number (International publication number)：1994053408
Application date： Sep. 09, 1991
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【構成】単結晶Al2の電極に極薄の非晶質膜を拡散バリア層3として被覆し、その上に誘電体1と上側電極2′を形成する。【効果】単結晶金属を用いるため電極表面の平滑性が向上し、薄い誘電体を用いた容量素子の漏れ電流が小さくなり、誘電体の膜厚を薄くするので、単位面積当たりの容量を大きくすることができて、素子の微細化も可能となる。

Claim (excerpt)：

下側電極と誘電体と上側電極からなる容量素子において、前記下側電極は単結晶のAl或いは単結晶の貴金属からなる第一の金属層に、遷移金属,高融点金属,高融点金属硅化物,高融点金属窒化物のいずれか一種からなる第二の金属層を厚さ1〜30nmの範囲で重ねた複数層の重ね膜からなり、誘電体は厚さが5〜30nmの高融点金属酸化物からなることを特徴とするMOM容量素子。