薄膜作製方法および薄膜作製装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田宮寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996229392
Publication number (International publication number)：1998064849
Application date： Aug. 12, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】窒化チタン薄膜を、良好な被覆性を維持し、ダストの発生を抑え、膜の電気特性が良好であって経時的にも劣化せず化学的にも安定であり、短いスループットで作製できる薄膜作製方法および薄膜作製装置を提供する。【解決手段】気化したテトラキスジアルキルアミノチタンよりなる原料ガスを気体状態で加熱して化学反応させ、基体上に窒化チタンを主成分とする薄膜を作製する薄膜作製方法であり、窒化チタンを主成分とする素薄膜を基体上に作製する第1の工程と、窒素と水素とアンモニアが選択的に混合されてなる処理ガスの雰囲気下で電子密度が1010個/cm3 以上の高密度プラズマを発生させ、活性化した処理ガスによって素薄膜を改質する第2の工程とからなる。第1の工程に引き続いて第2の工程が行われる。

Claim (excerpt)：

気化したテトラキスジアルキルアミノチタンよりなる原料ガスを気体状態で加熱して化学反応させ、この化学反応によって基体上に窒化チタンを主成分とする薄膜を作製する薄膜作製方法において、前記窒化チタンを主成分とする素薄膜を前記基体上に作製する第1の工程と、窒素と水素とアンモニアが選択的に混合されてなる処理ガスの雰囲気下で電子密度が1010個/cm3 以上の高密度プラズマを発生させ、活性化した前記処理ガスによって前記素薄膜を改質する第2の工程とからなり、前記第1の工程に引き続いて前記第2の工程が行われることを特徴とする薄膜作製方法。

IPC (5)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , C23C 16/34 , C23C 16/50 , C23C 16/56

FI (5)：

H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 R , C23C 16/34 , C23C 16/50 , C23C 16/56

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体素子の金属配線製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-292015 Applicant：現代電子産業株式会社
窒化チタン膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-005239 Applicant：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリーズカムパニーリミテッド
半導体集積回路装置および製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-338592 Applicant：日本電気株式会社

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