相補形金属-酸化物-半導体(CMOS)センサデバイスの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998242177
Publication number (International publication number)：2000012818
Application date： Aug. 27, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】相補形金属-酸化物-半導体(CMOS)センサデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】第1フォトレジスト層がミクロレンズレジスト層上に形成される。第1フォトレジスト層をマスク材として使用して第1露光ステップが実施され、第1露光部を得る。その後、第1フォトレジスト層が除去される。開口部に対応するパターンを有する第2フォトレジスト層がミクロレンズレジスト層上に形成される。第2フォトレジスト層をマスク材として使用して第2露光ステップが実施され、第2露光部を得る。その後、第2フォトレジスト層が除去される。ポジティブ型現像ステップを実施してミクロレンズレジスト層の第1露光部及び第2露光部を除去し、カラーフィルタの配列に対応して複数のミクロレンズブロックを形成する。現像後に露光ステップおよび硬化ステップが実施され、ミクロレンズブロックの各々から実質的に半球構造を有するミクロレンズが形成される。

Claim (excerpt)：

以下のステップに特徴を有する相補形金属-酸化物-半導体(CMOS)センサデバイスの製造方法:基板上に連続的にパシベーション層、カラーフィルタ、および平面層を形成し、基板の一部を露出する開口部を平面層およびパシベーション層を介して形成する;前記平面層上においてよりも前記開口部内において厚みが大きくなるように開口部および平面層上にミクロレンズレジスト層を形成する;前記カラーフィルタに対応するパターンを有する第1フォトレジスト層をミクロレンズレジスト層上に形成する;前記第1フォトレジスト層をマスク材として使用して少なくとも前記ミクロレンズレジスト層上に第1露光ステップを実施し、第1露光部を形成する;前記第1フォトレジスト層を除去する;前記開口部に対応するパターンを有する第2フォトレジスト層をミクロレンズレジスト層上に形成する;前記第2フォトレジスト層をマスク材として使用して少なくとも前記ミクロレンズ層上に第2露光ステップを実施し、第2露光部を形成する;前記第2フォトレジスト層を除去する;前記ミクロレンズレジスト層の第1露光部および第2露光部を除去し、カラーフィルタの配列に対応して複数のミクロレンズブロックを形成するためにポジティブ型現像ステップを実施する;および現像後の露光ステップおよび硬化ステップを実施することにより、ミクロレンズブロックの各々から実質的に半球構造を有するミクロレンズを形成する。

IPC (5)：

H01L 27/14 , G02B 3/00 , G03F 7/039 , G03F 7/26 , H01L 21/027

FI (6)：

H01L 27/14 D , G02B 3/00 A , G02B 3/00 Z , G03F 7/039 , G03F 7/26 , H01L 21/30 502 R

F-Term (25)：

2H025AA00 , 2H025AB13 , 2H025AB16 , 2H025AB20 , 2H025AC01 , 2H025AD03 , 2H025DA13 , 2H025DA23 , 2H025DA40 , 2H025FA03 , 2H025FA14 , 2H096AA25 , 2H096AA30 , 2H096BA09 , 2H096CA20 , 2H096EA30 , 2H096JA03 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118EA20 , 4M118GC08 , 4M118GC17 , 4M118GD04 , 4M118GD07

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