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J-GLOBAL ID:200903072902143650

半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992164967
Publication number (International publication number):1993190526
Application date: Jun. 23, 1992
Publication date: Jul. 30, 1993
Summary:
【要約】【目的】 半導体ウエハの表面から不要な金属不純物およびパ-ティクルを除去する半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置を提供する。【構成】 純水を供給ライン151 を通して洗浄槽に供給して半導体ウエハ11を該洗浄槽12に収容した後、上記純水がオ-バ-フロ-して順次置換されるように、第1の洗浄液を供給ライン152 を通して上記洗浄槽12に供給して第1の洗浄処理を行い、次いで、上記第1の洗浄液がオ-バ-フロ-して順次置換され、上記第1の洗浄液を含む混合液が生成されるように、第2の洗浄液を供給ライン153 を通して上記洗浄槽12に供給して第2の洗浄処理を行い、半導体ウエハの表面から不要な金属不純物およびパ-ティクルを除去する。
Claim (excerpt):
純水を供給ラインを通して洗浄槽に供給する工程と、半導体ウエハを上記洗浄槽に収容する工程と、上記純水がオ-バ-フロ-して順次置換されるように、第1の洗浄液を供給ラインを通して上記洗浄槽に供給して第1の洗浄処理を行う工程と、上記第1の洗浄液がオ-バ-フロ-して順次置換され、上記第1の洗浄液を含む混合液が形成されるように、第2の洗浄液を供給ラインを通して上記洗浄槽に供給して第2の洗浄処理を行う工程とを具備することを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。
IPC (2):
H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開昭61-281532

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