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J-GLOBAL ID：200903072904811471
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992199325
Publication number (International publication number)：1994045283
Application date： Jul. 27, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】メッキ法による金配線の形成方法において、この配線とこれを覆う絶縁膜との密着性を改善して剥れを生じにくくすることにより、信頼性を高め,製造時の歩留りを高め,多層の配線を容易にする。【構成】マスク膜105を用いた選択メッキ法により金からなる第1メッキ膜106を形成し、さらに第1メッキ膜105上に例えばクロムのように絶縁膜との密着瀬のよい金属からなる第2メッキ膜107aを形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に設けられた第1絶縁膜上に、導電性を有する単層,もしけは複層の膜から構成される第1導電膜を形成し、前記第1導電膜上に第2導電膜を形成し、前記第2導電膜上に選択的にマスク膜を形成する工程と、前記マスク膜をメッキマスクとした金の電解,もしくは無電解メッキにより露出した前記第2導電膜上に第1メッキ膜を形成し、前記マスク膜をメッキマスクとした電解,もしくは無電解メッキにより前記第1メッキ膜上に選択的に第2メッキ膜を形成する工程と、前記マスク膜を除去し、露出した部分の前記第2導電膜を除去し、露出した部分の前記第1導電膜を除去し、前記第1導電膜,前記第2導電膜,前記第1メッキ膜,および前記第2メッキ膜から構成された配線を形成する工程と、全面に第2絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/288
, C23C 14/35
, C25D 3/48
, H01L 21/302
, H01L 21/3205
