マイクロ電子構造体とその製造法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995196766
Publication number (International publication number)：1996116032
Application date： Aug. 01, 1995
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【課題】高誘電率材料に対し特性の優れた電気的接続が得られ、かつ妥当なコストと歩留まりで製造可能である、マイクロ電子構造体とその製造法を提供する。【解決手段】 1つの好ましい実施例は、酸化可能な層(例えば、TiN)と、前記酸化可能な層の上に配置されたアモルファス窒化物障壁体層(例えば、Ti-Si-N)と、前記アモルファス窒化物層の上に配置された酸素に安定な層(例えば、白金)と、前記酸素に安定な層の上に配置された高誘電率材料層(例えば、チタン酸バリウム・ストロンチウム)とを有する。酸素が前記酸化可能な層に拡散するのを前記アモルファス窒化物層が実質的に抑止し、それにより前記酸化可能な層のゆうがいな酸化が最小限に抑止される。

Claim (excerpt)：

(イ) 酸化可能な層を作成する段階と、(ロ) 前記酸化可能な層の上に3成分またはさらに多成分のアモルファス窒化物の層を作成する段階と、(ハ) 前記アモルファス窒化物の層の上に酸素に安定な層を作成する段階と、(ニ) 前記酸素に安定な層の上に高誘電率材料の層を作成する段階とからなり、ここで酸素が前記酸化可能な層にまで拡散することを前記アモルファス窒化物が実質的に抑止し、それにより前記酸化可能な層の有害な酸化が最小限に抑えられる、マイクロ電子構造体を作成する方法。

IPC (11)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01G 4/012 , H01G 4/33 , H01G 4/12 394 , H01G 4/12 400 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5)：

H01L 27/04 C , H01G 1/015 , H01G 4/06 102 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

強誘電体を備えた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-171123 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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