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J-GLOBAL ID:200903072911271350
微弱磁場計測方法および装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
特許業務法人みのり特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006276457
Publication number (International publication number):2008093099
Application date: Oct. 10, 2006
Publication date: Apr. 24, 2008
Summary:
【課題】発生する磁場が微弱で、微小な磁場変化しか生じさせない試料に対しても、その磁場を定量的に計測することができる方法および装置を提供する。【解決手段】外部磁場をシールドする磁気シールドハウジングと、磁気シールドハウジング内に配置されるとともに、SQUIDを内蔵し、それを冷却して超伝導状態に維持するSQUID格納部3と、SQUID格納部を固定位置に支持する支持手段と、試料5を磁気シールドハウジング内において支持し、それをSQUIDの磁束検出エリアを横切るように移動させる試料移動手段1、4、5と、試料がSQUIDの磁束検出エリアを横切る間に、SQUIDによって検出された磁束変化量を記録するデータ格納部6と、データ格納部に格納されたデータに基づき、試料が発生する微弱な磁場を計測する磁場計測部7を備える。【選択図】図1
Claim (excerpt):
外部磁場を遮蔽した環境中において、超伝導状態に維持したSQUIDと、試料とを相対運動させて、前記試料が前記SQUIDの磁束検出エリアを横切るようにし、前記試料が前記SQUIDの磁束検出エリアを横切る間の磁束変化を検出することによって前記試料から発生する微弱な磁場を計測する方法。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (8):
2G017AA04
, 2G017AC01
, 2G017AD32
, 2G017CB02
, 2G017CD02
, 4C027AA10
, 4C027EE01
, 4C027KK01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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再公表特許WO/99/49781号公報
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生体磁場計測装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-175552
Applicant:株式会社日立製作所
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