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J-GLOBAL ID：200903072920134528

絶縁膜の形成方法

Inventor： 北畠 真 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994184440
Publication number (International publication number)：1996051110
Application date： Aug. 05, 1994
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 シリコン以外の半導体基板に形成される電子素子用の、基板との界面及び絶縁膜中のトラップ準位密度の小さい絶縁膜の形成方法を提供する。特に炭化珪素やダイヤモンド等のワイドバンドギャップ半導体材料を用いた高温パワーデバイス用MOS素子に有効な、絶縁膜の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコン以外の半導体の清浄基板上に第一のプロセスによりシリコン薄膜を形成する。次に第2のプロセスにより上記シリコン薄膜を酸化することにより、トラップ準位密度の低い酸化珪素絶縁膜をシリコン以外の半導体基板上に形成する。

Claim (excerpt)：

基板表面にシリコン薄膜を形成する第一のプロセスと、上記第一のプロセスにより形成されたシリコン薄膜を酸化する第2のプロセスを含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C01B 33/12 ,  H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-066866
  
• 特開昭55-038068
  
• 特開昭55-105334
  
• 特開昭60-208863