Pat

J-GLOBAL ID：200903072921391435

サセプター

Inventor： 外谷 栄一 ,  伊藤 幸夫 ,  稲葉 毅 ,  佐々木 泰実
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 高 雄次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992108493
Publication number (International publication number)：1993283351
Application date： Apr. 01, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウェーハに欠陥を生じさせることなく、かつサセプターを長寿命にする。【構成】 カーボンを基材とするサセプター本体1の少なくともウェーハ収容凹部3の表面に、CVD法によりコーティングされ、かつ表面を研磨された所要厚さの研磨SiC膜5,7が2層以上積層されていることにより、各層のSiC膜の結晶の成長や異方性を抑制し、SiC膜全体の厚さが厚くなっても凹部やマイクロクラック等の欠陥を少なくする。

Claim (excerpt)：

カーボンを基材とするサセプター本体の少なくともウェーハ収容凹部の表面に、CVD法によりコーティングされ、かつ表面を研磨された所要厚さの研磨SiC膜が2層以上積層されていることを特徴とするサセプター。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/32 ,  H01L 21/68