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J-GLOBAL ID：200903072927110314

プラズマ処理装置

Inventor： 杉山 一彦 ,  清水 正史 ,  内藤 幸男 ,  西村 栄一 ,  大嶋 弘一
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992198376
Publication number (International publication number)：1993205898
Application date： Jul. 24, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 各電極に実際に供給されている電力に基づいてプロセスを制御することができ、プラズマの安定化を図って従来に較べて高精度なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 第2のケーブル105の終端部すなわち処理チャンバ2内の下部電極4の近傍位置には、電力検出部102が配設されている。電力検出部102は、下部電極4に印加される実際の高周波電力値を検出可能であり、その検出出力に従ってCPU等を含むコントローラ103を介して検出された高周波電力を表示部106に表示すると共に高周波電源100からの出力電力値を所定値にフィードバック制御可能に構成されている。

Claim (excerpt)：

処理チャンバと、前記処理チャンバ内に対設される一対の電極とを有するプラズマ処理手段と、前記電極のうち少なくとも一方の電極に印加する高周波電力を出力する高周波電源と、前記電極に印加される前記高周波電力の実際の値を検出する電力検出手段と、前記電力検出手段によって検出される前記高周波電力の実際の値に従って、前記高周波電源から出力される前記高周波電力を所定の値に制御する制御手段とを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/302