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J-GLOBAL ID：200903072947816507

Cu系導体合金材料とそのエッチング方法、及びそ れを用いた磁気ヘッド

Inventor： 木下 啓藏
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993211661
Publication number (International publication number)：1995062471
Application date： Aug. 26, 1993
Publication date： Mar. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、低温で反応性イオンエッチングが可能なCu系薄膜導体合金材料、及びそのエッチング方法を提供し、さらに該材料を用いた信頼性、スループットの高い磁性薄膜装置を提供することにある。【構成】 Cu中のAl濃度と反応性イオンエッチング可能な温度の間には図1のような関係がある。Alの添加によりエッチング時の温度を低減でき、剥離可能なフォトレジストをマスクにして塩素系ガスによる反応性イオンエッチングが可能となる。従って、プロセスのドライ化、低温化が可能となり、薄膜磁気ヘッド、磁気抵抗効果ヘッドの製造時のスループット、信頼性が向上する。

Claim (excerpt)：

Cuに対して、B,C,N,Al,Si,P,S,Ga,Ge,As,Se,In,Sn,Sb,Te,Bi,Po,Be,Ti,V,Zr,Nb,Mo,Tc,Hf,Ta,W,Re,Pa,Uの内の少なくとも一種を添加したCu系薄膜導体合金材料であって、Cuに対する添加元素の添加量の下限(wn [at%])として、各々の添加元素の添加量と、該添加元素の塩化物の沸点(Tb [K])との間に、数式1が成立し、Cuに対する添加元素の添加量の上限として、純Cuと同一の結晶構造を少なくとも一部有する範囲で、添加元素を添加することを特徴とするCu系薄膜導体合金材料。【数1】

IPC (7)：

C22C 9/00 ,  C23F 1/12 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/39 ,  H01B 1/02 ,  H05K 1/09 ,  H01B 5/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭48-087396
  
• 特開平1-215986
  
• 特開昭60-080111