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J-GLOBAL ID:200903072950480412

高周波半導体増幅器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 宮田 金雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995294297
Publication number (International publication number):1997139639
Application date: Nov. 13, 1995
Publication date: May. 27, 1997
Summary:
【要約】【課題】 ループ発振による異常増幅現象を防止するための抵抗装荷上の難点を解消するループ発振阻止方式を実現する。【解決手段】 入力端子1から入った高周波信号に対し分配し入力整合回路3とボンディングワイヤ8を介し当該半導体チップ入力端子9に接続する、複数の半導体チップ7からなる増幅素子5で、増幅後当該半導体チップ出力端子10からボンディングワイヤ8と出力整合回路4を介し合成し出力端子2に接続する。入力整合回路3または出力整合回路4で増幅素子5近傍の当該半導体チップ7の組を挟む線路内に埋め込んだシート抵抗の形で抵抗体6を装荷する。
Claim (excerpt):
高周波信号に対し入力整合回路を介し分配増幅をし出力整合回路を介し合成をする複数の単位半導体素子からなる増幅素子を備える高周波半導体増幅器において、前記入力整合回路または出力整合回路で前記増幅素子近傍の線路内にシート抵抗の形で装荷する抵抗体を設けることを特徴とする高周波半導体増幅器。
IPC (4):
H03F 3/68 ,  H01P 5/19 ,  H03F 3/193 ,  H03F 3/60
FI (4):
H03F 3/68 B ,  H01P 5/19 A ,  H03F 3/193 ,  H03F 3/60
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開昭57-211755
  • 特開昭54-043662
  • 特開昭64-044102

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