Pat
J-GLOBAL ID：200903072960529800
磁気センサおよび磁気センサユニット
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003282646
Publication number (International publication number)：2005049262
Application date： Jul. 30, 2003
Publication date： Feb. 24, 2005
Summary：
【課題】温度変化が大きくても安定した出力が得られ、これにより、磁気センサまたは磁気センサを用いた機器における設計の自由度が広くなる磁気センサを提供することを目的とする。【解決手段】T1°Cで印加磁界Haのときの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化率をΔRa1、T2°Cで印加磁界Haのときの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化率をΔRa2、T2°Cで印加磁界Hbのときの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化率をΔRb2とした特性の磁気抵抗効果素子と、発生する磁界がT1°CのときにHa、T2°CのときにHbとなるバイアス磁界発生手段とにより構成したものである。【選択図】図5
Claim (excerpt)：
発生する磁界が温度に依存するバイアス磁界発生手段と、このバイアス磁界発生手段で発生した磁界によって抵抗値が変化するとともに温度にも依存して抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子とを備え、前記磁気抵抗効果素子の抵抗値に影響を与える磁界は磁気抵抗効果素子の近傍に設けられた被検出手段の状態によって変化を生じるものであり、かつ前記磁気抵抗効果素子の抵抗値は、磁界が強くなるにつれて無磁界のときに比べて抵抗値の変化が大きくなる領域を有するものであり、
T1°Cで無磁界時における前記磁気抵抗効果素子の抵抗値をR1Ω、
T2°Cで無磁界時における前記磁気抵抗効果素子の抵抗値をR2Ω、
T1°Cにおける前記磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に寄与する前記バイアス磁界発生手段からの磁界をHa、
T1°Cにおいて磁界Haを受けたときの前記磁気抵抗効果素子の抵抗値をRa1Ω、
T2°Cにおいて磁界Haを受けたときの前記磁気抵抗効果素子の抵抗値をRa2Ω、
T2°Cにおける前記磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に寄与する前記バイアス磁界発生手段からの磁界をHbとしたとき、|R1-Ra1|/R1>|R2-Ra2|/R2の関係が成立するときに前記バイアス磁界発生手段からの磁界がHa<Hbとなる領域が存在するような関係に設定した磁気センサ。
IPC (5)：
G01R33/09
, G01D5/245
, H01F10/16
, H01F10/32
, H01L43/08
G01R33/06 R
, G01D5/245 G
, H01F10/16
, H01F10/32
, H01L43/08 B
2F077AA13
, 2F077PP14
, 2F077UU09
, 2F077UU11
, 2G017AA02
, 2G017AB05
, 2G017AC04
, 2G017AC06
, 2G017AC09
, 2G017AD55
, 2G017AD62
, 2G017AD65
, 2G017BA09
, 5E049AA04
, 5E049AA09
, 5E049AC05
, 5E049BA16
, 5E049CB01
Cited by applicant (1)
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磁気検出装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-126281
Applicant：三菱電機株式会社
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