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J-GLOBAL ID：200903072976425193
半導体チップの突起電極形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山田 文雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995175551
Publication number (International publication number)：1997008046
Application date： Jun. 20, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：
【要約】【目的】 基板の回路ボンディング用パターンにフリップチップ方式により接続される半導体チップの突起電極形成方法において、突起電極を簡単な工程で形成し、生産能率を高め、また接着剤を用いる必要もなくす。【構成】 半導体チップの電極に金線をワイヤボンディングしこのボンディング部のすぐ上でこの金線を切断してボール状のボンディング部を電極上に残し、この金線のボンディング部の上に他の金属線をワイヤボンディングしこのボンディング部のすぐ上でこの金属線を切断してボール状のボンディング部を重ねて形成し、加熱・溶融によって両ボンディング部を一体化する。
Claim (excerpt)：
基板の回路ボンディング用パターンにフリップチップ方式により接続される半導体チップの突起電極形成方法において、前記半導体チップの電極に金線をワイヤボンディングしこのボンディング部のすぐ上でこの金線を切断してボール状のボンディング部を電極上に残し、この金線のボンディング部の上に他の金属線をワイヤボンディングしこのボンディング部のすぐ上でこの金属線を切断してボール状のボンディング部を重ねて形成し、加熱・溶融によって両ボンディング部を一体化したことを特徴とする半導体チップの突起電極形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 301
H01L 21/92 602 D
, H01L 21/60 301 H
, H01L 21/92 604 J
