タングステン膜の形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅井章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002234273
Publication number (International publication number)：2003193233
Application date： Aug. 12, 2002
Publication date： Jul. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】埋め込み穴の径が小さくても、特性に悪影響を与える程の大きさのボイドの発生やボルケーノの発生を抑制でき、埋め込み特性の良好なタングステン膜の形成方法を提供する。【解決手段】真空引き可能になされた処理容器22内にて被処理体Wの表面にタングステン膜を形成するに際して、還元ガスを供給する還元ガス供給工程70とタングステン含有ガスを供給するタングステンガス供給工程72とを、前記両工程の間に不活性ガスを供給しつつ真空引きするパージ工程74を介在させて、交互に繰り返し行うようにして初期タングステン膜76を形成する。これにより、膜厚均一性の高い核付け層としての初期タングステン膜を形成することが可能となり、従って、この後に主たるタングステン膜を堆積させた時に、例えば埋め込み穴の径が小さくても、特性に悪影響を与える程の大きさのボイドの発生やボルケーノの発生を抑制することができる。

Claim (excerpt)：

真空引き可能になされた処理容器内にて被処理体の表面にタングステン膜を形成するに際して、還元ガスを供給する還元ガス供給工程とタングステン含有ガスを供給するタングステンガス供給工程とを、前記両工程の間に不活性ガスを供給しつつ真空引きするパージ工程を介在させて、交互に繰り返し行うようにして初期タングステン膜を形成するようにしたことを特徴とするタングステン膜の形成方法。

IPC (4)：

C23C 16/08 , C23C 16/18 , H01L 21/285 , H01L 21/3205

FI (4)：

C23C 16/08 , C23C 16/18 , H01L 21/285 C , H01L 21/88 M

F-Term (34)：

4K030AA03 , 4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA07 , 4K030AA08 , 4K030AA11 , 4K030AA17 , 4K030BA20 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104DD45 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

順次堆積技術を使用して耐熱金属層を堆積させ核生成層を形成させる方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-192423 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
化学気相成長による金属薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-182518 Applicant：新日本製鐵株式会社
金属薄膜の形成方法および金属薄膜の形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-237054 Applicant：株式会社東芝

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