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J-GLOBAL ID：200903072987450610

磁気抵抗効果素子の製造方法

Inventor： 中澤 由紀恵 ,  斎藤 正路 ,  長谷川 直也 ,  牧野 彰宏
Applicant, Patent owner： アルプス電気株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997025601
Publication number (International publication number)：1998223942
Application date： Feb. 07, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、出力の向上と安定性の向上、ハードバイアスのバイアス量低減を図ることができる磁気抵抗効果素子の製造方法の提供を目的とする。【解決手段】 本発明は、少なくとも磁化が外部の磁界に対して自在に反転する1層のフリー強磁性層14と非磁性層13と磁化反転がピン止めされたピン止め強磁性層12とを具備する積層体15を形成し、前記フリー強磁性層14とピン止め強磁性層12はそれらの磁化容易軸の向きを変えるために必要な熱処理条件の異なるものにするとともに、第1の方向に磁界を付与して所定の温度にて第1のアニールを施し、その後第1の方向と略直交する第2の方向に磁界を印加して第2のアニールを施し、前記フリー強磁性層の磁化容易軸とピン止め強磁性層の磁化容易軸とを略直交させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

磁化が外部の磁界に対して自在に反転する1層のフリー強磁性層と非磁性層と磁化反転がピン止めされたピン止め強磁性層とを具備する積層体を形成し、前記フリー強磁性層とピン止め強磁性層をそれらの磁化容易軸の向きを変えるために必要な熱処理条件の異なるものにするとともに、第1の方向に磁界を付与して所定の温度にて第1のアニールを施し、その後第1の方向と略直交する第2の方向に磁界を印加して第2のアニールを施し、前記フリー強磁性層の磁化容易軸とピン止め強磁性層の磁化容易軸とを略直交させることを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 43/12 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00

FI (4)：

H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-236393   Applicant：株式会社東芝