Pat

J-GLOBAL ID：200903072988346779

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 山田 浩 ,  樋口 和人 ,  舘山 和樹
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997014165
Publication number (International publication number)：1998214838
Application date： Jan. 28, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】大口径の基板に対しても微細なメッキ膜を高精度にかつ均一に形成することを可能とする半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基板7を、処理容器1に収容された電気メッキ液の液面に設置し、基板7の被メッキ処理面に電気メッキ液を噴流することによりメッキ処理を行なう際に、処理容器1の下方に設けられた噴流口2から処理容器1内に噴流され、液面近傍に設けられた排出部9から排出される電気メッキ液の、基板7の被メッキ処理面近傍での流れを、基板7の外径よりも大きな外径を有し、基板7の外径よりも小さな開口部5が設けられた液流制御板3により、開口部5から排出部9へと制御する。

Claim (excerpt)：

電気メッキ液を収容し、電気メッキ液を上方に噴出する噴流口を底部に有する処理容器と、基板の被メッキ処理面が前記メッキ液の液面と接触するように基板を支持する基板支持手段と、前記噴流口と前記基板との間に配置されたアノードと、前記アノードと前記基板との間に配置され、前記基板の径よりも小さい径の開口部を有し、前記基板の径よりも大きい外径を有する液流制御板と、前記アノードと、カソードとして作用する前記基板とを介して、それらの間の電気メッキ液に電流を流す手段と、を具備することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/321 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288

FI (4)：

H01L 21/92 604 B ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/92 604 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体ウエハのめっき方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-168160   Applicant：日本電装株式会社