フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：後藤幸久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999223144
Publication number (International publication number)：2001048933
Application date： Aug. 05, 1999
Publication date： Feb. 20, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】優れた透明性、アルカリ可溶性及び密着性を具備するだけでなく、高いエッチング耐性をも備えた高分子化合物を得る。【解決手段】下記式(I)(式中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R2及びR3は、同一又は異なって、炭素数1〜8の炭化水素基を示し、R4、R5及びR6は、同一又は異なって、水素原子、ヒドロキシル基又はメチル基を示す。但し、R4〜R6の何れもが水素原子又はヒドロキシル基である場合には、R2及びR3は同時にメチル基であることはない)で表される少なくとも1種のモノマー単位を含む高分子化合物。この高分子化合物はフォトレジスト用樹脂として使用できる。

Claim (excerpt)：

下記式(I)【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R2及びR3は、同一又は異なって、炭素数1〜8の炭化水素基を示し、R4、R5及びR6は、同一又は異なって、水素原子、ヒドロキシル基又はメチル基を示す。但し、R4〜R6が各々水素原子又はヒドロキシル基の何れかである場合には、R2及びR3は同時にメチル基であることはない)で表される少なくとも1種のモノマー単位を含む高分子化合物。

IPC (4)：

C08F 20/18 , C08F 20/26 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (4)：

C08F 20/18 , C08F 20/26 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (23)：

2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025CB14 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA03Q , 4J100BC09P , 4J100BC09Q , 4J100BC53R , 4J100BC60R , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA36 , 4J100DA62 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法、感光性組成物及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-269320 Applicant：株式会社東芝
遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-203676 Applicant：富士写真フイルム株式会社
遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-211370 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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