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J-GLOBAL ID：200903073005526003

酸化物半導体発光素子

Inventor： 齊藤 肇 ,  川崎 雅司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  川崎 雅司
Agent (3)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002373856
Publication number (International publication number)：2004207441
Application date： Dec. 25, 2002
Publication date： Jul. 22, 2004
Summary：

【課題】ZnO系半導体のワイドギャップ層成長時における活性層の蒸発や熱劣化を防ぎ、発光特性と信頼性に優れた酸化物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】基板上に少なくとも、ZnO系半導体で構成された、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層が積層されて成る酸化物半導体発光素子において、前記活性層よりもバンドギャップエネルギーの大きな層が、MgxCdyZn1-x-yO混晶(0 Claim (excerpt)：

基板上に少なくとも、ZnO系半導体で構成された、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層が積層されて成る酸化物半導体発光素子において、前記活性層よりもバンドギャップエネルギーの大きな層が、MgxCdyZn1-x-yO混晶(0 IPC (5)：

H01L33/00 ,  C30B23/08 ,  C30B29/22 ,  H01L21/363 ,  H01S5/327

FI (5)：

H01L33/00 D ,  C30B23/08 M ,  C30B29/22 Z ,  H01L21/363 ,  H01S5/327

F-Term (43)：

4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077BC60 ,  4G077BE36 ,  4G077DA03 ,  4G077DA05 ,  4G077EA02 ,  4G077EE03 ,  4G077EF01 ,  4G077HA02 ,  4G077SA04 ,  4G077SC08 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA41 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041DA02 ,  5F073AA09 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073EA07 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29 ,  5F103AA04 ,  5F103BB08 ,  5F103DD30 ,  5F103LL03 ,  5F103NN01 ,  5F103PP01 ,  5F103RR07