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J-GLOBAL ID：200903073008739571

加熱による化学反応と拡散を利用する化合物半導体及び化合物絶縁体の製造方法と、この方法による化合物半導体及び化合物絶縁体、これを利用する光電池、電子回路、トランジスター及びメモリー

Inventor： 金 朱鎬 ,  富永 淳二
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002092663
Publication number (International publication number)：2003300720
Application date： Mar. 28, 2002
Publication date： Oct. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】 加熱による化学反応と拡散を利用する化合物半導体及び化合物絶縁体の製造方法と、この方法による化合物半導体及び化合物絶縁体、これを利用する光電池、電子回路、トランジスター及びメモリーを提供する。【解決手段】 酸素及び/又は硫黄を含む誘電体層の間に酸素及び/又は硫黄に対して反応性が高い希土類遷移金属層の中間層が介在された積層構造を形成し、の加熱温度を調節による化学反応と拡散によって化合物半導体及び化合物絶縁体を製造し、これを利用して光電池、電子回路、トランジスター及びメモリーを製造する。

Claim (excerpt)：

酸素及び/又は硫黄を含む誘電体層の間に酸素及び/又は硫黄に対して反応性が高い希土類遷移金属層の中間層が介在された積層構造を形成し、該積層構造を加熱して前記誘電体層と前記中間層を互いに化学反応と拡散をさせて化合物半導体を製造することを特徴とする化合物半導体の製造方法。

IPC (9)：

C01B 33/00 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

C01B 33/00 ,  H01L 21/268 E ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 601 ,  H01L 29/14 ,  H01L 29/78 371

F-Term (13)：

4G072AA50 ,  4G072GG03 ,  4G072UU01 ,  5F083AD01 ,  5F083AD11 ,  5F083EP02 ,  5F083ER22 ,  5F083HA06 ,  5F083JA60 ,  5F101BA01 ,  5F101BD02 ,  5F101BD39 ,  5F101BE07