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J-GLOBAL ID：200903073017087480

ハイブリッド光集積回路の製造方法

Inventor： 安岡 奈美
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992201624
Publication number (International publication number)：1994053464
Application date： Jul. 28, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 ファンデルワールス力を利用して正確に光軸合わせのできる端面結合方式のハイブリッド光集積回路の製造方法を提供する。【構成】 光学部品2と位置合わせ用マーカ8,9とを集積化用の基板1の所定位置に形成し、光学部品と対応する寸法のリッジを有する半導体基板上にエッチングストッパとして機能する半導体膜6を堆積し、半導体基板の非リッジ領域の半導体膜上の所定位置に機能性光学素子3と位置合わせ用マーカ8,9とを形成し、それらを一時支持用の透明基板4上に樹脂で固定する。リッジを含む半導体基板とエッチングストッパ半導体膜をエッチング除去し、機能性光学素子3がリッジ跡に対向するように、4を1上に配置し、透明基板4側からモニタして位置合わせする。4を1に圧接して、ファンデルワールス力により機能性光学素子を基板の所定位置に結合させ、樹脂9と透明基板4を取り除く。

Claim (excerpt)：

光学部品(2)と位置合わせ用マーカ(8)とを集積化用の基板(1)の所定位置に形成する工程と、前記光学部品(2)と対応する寸法のリッジを有する半導体基板(5)上にエッチングストッパとして機能する半導体膜(6)を堆積する工程と、前記半導体基板(5)の非リッジ領域の半導体膜(6)上の所定位置に機能性光学素子(3)と位置合わせ用マーカ(9)とを形成する工程と、前記半導体基板(5)上に形成された機能性光学素子(3)およびマーカ(9)を一時支持用の透明基板(4)上に樹脂(7)で固定する工程と、前記リッジを含む半導体基板(5)と前記エッチングストッパ半導体膜(6)をエッチング除去する工程と、前記機能性光学素子(3)がリッジ跡に対向するように、前記透明基板(4)を前記基板(1)上に配置し、前記透明基板(4)側からモニタして前記位置合わせ用マーカ(8)および(9)を位置合わせする工程と、前記透明基板(4)を前記基板(1)上に圧接して、ファンデルワールス力により前記機能性光学素子(3)を前記基板(1)の所定位置に結合させる工程と、前記樹脂(7)を除去して前記透明基板(4)を取り除く工程とを含むハイブリッド光集積回路の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/14 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/025