回り込み電流を阻止する共有デバイスを含むクロスポイントメモリアレイ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上野英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002019411
Publication number (International publication number)：2002304880
Application date： Jan. 29, 2002
Publication date： Oct. 18, 2002
Summary：

【要約】【目的】MRAMなどの抵抗クロスポイントメモリセルアレイ中で、選択されていないメモリセルを流れる回り込み電流を阻止することによって、選択されているセルを流れる電流レベルをセンスアンプ24が判断しにくくなることがないようにする。【構成・作用】メモリセルのグループ毎に、ワード線14とグループ間に阻止用のダイオード22を設ける。

Claim (excerpt)：

以下の(a)及び(b)を設けた情報記憶装置:(a) メモリ素子の抵抗クロスポイントアレイ;(b) 前記メモリ素子のグループに結合されかつそれらによって共有される回り込み電流阻止デバイス。

IPC (4)：

G11C 11/15 , G11C 11/14 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/15 , G11C 11/14 A , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (8)：

5F083BS37 , 5F083FZ10 , 5F083JA32 , 5F083JA33 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083LA12 , 5F083LA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

MRAM配列構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-253609 Applicant：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-182937 Applicant：三菱電機株式会社
磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-075168 Applicant：株式会社東芝

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