半導体薄膜の製造方法及びそれに用いるプラズマCVD装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995029086
Publication number (International publication number)：1996222520
Application date： Feb. 17, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】薄膜を用いた低コストで高性能のデバイスを製造するため、高品質の膜を、高速かつ高歩留まりで成膜できる装置と製造方法を提供する。【構成】プラズマ生成のエネルギーを間欠的に供給することにより、4族水素化合物あるいはその誘導体をプラズマにして活性種に分解し基板上に堆積させる半導体薄膜の製造方法であり、上記エネルギーの供給時間を、[(プラズマ内の長寿命活性種以外の活性種と反応する母ガスとの2次反応速度定数)×(母ガス分子の数)]の逆数の時間以下に設定することにより、主たる活性種以外の2次反応が抑制されていると考えられ、Si-H結合に対するSi-H2結合の含有比を小とすることができた。【効果】パウダー発生がなく、高品質の膜を、高速かつ高歩留まりで成膜できる。

Claim (excerpt)：

プラズマ生成のエネルギーを間欠的に供給することにより、4族水素化合物あるいはその誘導体をプラズマにして活性種に分解し堆積させる半導体薄膜の製造方法であって、上記エネルギーの供給時間は、[(プラズマ内の長寿命活性種以外の活性種と反応する母ガスとの2次反応速度定数)×(母ガス分子の数)]の逆数の時間以下に設定されてなることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , H01L 31/04

FI (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , H01L 31/04 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

プラズマCVD法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-323325 Applicant：日新電機株式会社
薄膜トランジスタ用の膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-019196 Applicant：日新電機株式会社
シリコン膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-194766 Applicant：日新電機株式会社

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