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J-GLOBAL ID：200903073036939276

半導体発光素子

Inventor： 菱田 有二
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995115760
Publication number (International publication number)：1996316527
Application date： May. 15, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 素子構造の自由度が高く、外部への光の取り出し効率が高く、かつへき開により作製可能な半導体発光素子を提供することである。【構成】 立方晶のn-ZnS基板1上に、n-GaNクラッド層2、InGaN活性層3およびp-GaNクラッド層4をエピタキシャル成長させ、p-GaNクラッド層4上にp側電極5を形成し、n-ZnS基板1の下面にn側電極6を形成する。

Claim (excerpt)：

II-VI族の化合物半導体からなる導電性の基板上に、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含むIII 族の窒化物半導体からなりかつ発光層を含むエピタキシャル成長層が形成され、前記基板が前記発光層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 M ,  H01S 3/18